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GN9060E


硅 N-IGBT 晶体管
GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
fT -
TJ -
the GN9060E is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications
图像: -
来源: Jaeger electronic catalog...... [更多]
Jaeger electronic catalog 1999
更多信息 GN9060E
OEM:Hitachi Ltd.... [更多]
Hitachi Ltd. Japan
封装:TOP-3L
数据表 (jpg):-
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:-
相似型号: ↑GT60M102, [更多]
GT60M102,..,GT60M104
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GN9060E


硅 N-IGBT 晶体管
GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
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Jaeger electronic catalog 1999
更多信息 GN9060E
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Hitachi Ltd. Japan
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硅 N-IGBT 晶体管
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UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
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Hitachi Ltd. Japan
封装:TOP-3L
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

GT60M102


硅 N-IGBT 晶体管
similar to GN9060E, see note
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
the GT60M102 is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications
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Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: GT60M102
OEM:Toshiba Toky... [更多]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:TOP-3L
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

GT60M104


硅 N-IGBT 晶体管
similar to GN9060E, see note
GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
the GT60M104 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, applications: power switch
图像: -
来源: Toshiba Databook Power MO...... [更多]
Toshiba Databook Power MOSFETs 1996
相似型号: GT60M104
OEM:Toshiba Toky... [更多]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:2-21F2C
数据表 (jpg):有货
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Toshiba Databook Power MOSFETs 1996
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封装:2-21F2C
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